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天域半導(dǎo)體(02658.HK)擬攜手青禾晶元共同開展鍵合材料(包括鍵合碳化硅(SiC)等工藝開發(fā)及技術(shù)迭代-焦點(diǎn)要聞

2026-01-16 22:22:31 來源:格隆匯


(資料圖片)

格隆匯1月16日丨天域半導(dǎo)體(02658.HK)公告,于2026年1月16日,公司及青禾晶元半導(dǎo)體科技(集團(tuán))有限責(zé)任公司("青禾晶元")訂立戰(zhàn)略合作協(xié)議,據(jù)此,協(xié)議訂約方(各自為"訂約一方",統(tǒng)稱"訂約方")同意建立戰(zhàn)略合作,憑藉本公司在碳化硅材料領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)及青禾晶元在鍵合設(shè)備定制與優(yōu)化方面的能力,共同開展鍵合材料(包括鍵合碳化硅(SiC)、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上壓電基板(POI)及超大尺寸(12英寸及以上)SiC復(fù)合散熱基板)的工藝開發(fā)及技術(shù)迭代。

合作內(nèi)容1.工藝開發(fā):公司應(yīng)就鍵合SiC、SOI、POI、12英寸SiC復(fù)合散熱基板及中介層等鍵合材料開展工藝開發(fā)及量產(chǎn)導(dǎo)入。

2.設(shè)備與技術(shù)支持:青禾晶元應(yīng)向公司提供離子注入、晶圓級(jí)鍵合、精密拋光、晶體修復(fù)及剝離等方面的設(shè)備及相關(guān)技術(shù)支持,主要包括:.為單晶—多晶SiC鍵合襯底(8英寸)提供設(shè)備定制、優(yōu)化及工藝調(diào)試;.為單晶—單晶SiC鍵合襯底(8英寸)、SOI(8英寸及12英寸)及SionSiC(12英寸)鍵合襯底提供整線設(shè)備選型、設(shè)備定制、工藝優(yōu)化及量產(chǎn)支持;及.提供適用于金剛石、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鎵(GaN)、鈮酸鋰、鉭酸鋰等材料的鍵合設(shè)備。

3.設(shè)備改進(jìn)及技術(shù)支持:公司應(yīng)從工藝開發(fā)、批量制造的角度給予設(shè)備改進(jìn)及升級(jí)迭代的指導(dǎo)。青禾晶元應(yīng)配合公司量產(chǎn)需求,加大研發(fā)投入,提升設(shè)備能力。同時(shí),青禾晶元在公司使用過程中遇到的技術(shù)問題,應(yīng)積極配合應(yīng)對(duì)。

4.知識(shí)產(chǎn)權(quán):在技術(shù)開發(fā)過程中,訂約一方各自獨(dú)立研發(fā)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)歸各自獨(dú)立所有。

5.優(yōu)先合作:于合作期間,在同等條件下,公司應(yīng)優(yōu)先與青禾晶元開展整線項(xiàng)目合作,并優(yōu)先采購青禾晶元的相關(guān)設(shè)備。然而,若青禾晶元提供的設(shè)備無法滿足公司的技術(shù)指標(biāo)、量產(chǎn)良率要求或貨期需求,公司有權(quán)向第三方采購,不視為違約。

董事會(huì)認(rèn)為,訂約方將利用彼等各自的競爭優(yōu)勢(shì),建立互利互惠的合作伙伴關(guān)系。通過結(jié)合公司在SiC外延片領(lǐng)域的行業(yè)實(shí)力與青禾晶元在鍵合集成技術(shù)及設(shè)備方面的專業(yè)知識(shí),合作旨在促進(jìn)先進(jìn)鍵合材料解決方案的開發(fā)并優(yōu)化生產(chǎn)工藝。預(yù)期此合作將提升集團(tuán)在大尺寸復(fù)合基板方面的技術(shù)能力,確保設(shè)備穩(wěn)定性,并進(jìn)一步鞏固集團(tuán)的市場(chǎng)地位。

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